Diodo rectificador
Un dispositivo semiconductor que convierte la energía de corriente alterna en energía de corriente continua. Por lo general, consta de una unión PN con terminales positivos y negativos. La característica más importante de un diodo es su conductividad unidireccional. En el circuito, la corriente solo puede fluir desde el electrodo positivo del diodo y desde el electrodo negativo.
El diodo rectificador utiliza la conductividad unidireccional de la unión PN para convertir la corriente alterna en corriente continua pulsante. La corriente de fuga de los diodos rectificadores es grande y la mayoría de ellos están empaquetados con materiales de contacto superficial. La forma del diodo rectificador se muestra en la Fig. 1. Además, los parámetros del diodo rectificador incluyen la corriente máxima del rectificador, que se refiere a la corriente máxima permitida para que el diodo rectificador funcione durante mucho tiempo. Es el parámetro principal del diodo rectificador y la base principal para seleccionar el diodo rectificador.
Diodo Schottky
El diodo Schottky lleva el nombre de su inventor, el Dr. Schottky. SBD es la abreviatura de diodo de barrera Schottky (SBD). El SBD no se fabrica según el principio de formar una unión PN al poner en contacto un semiconductor de tipo p con un semiconductor de tipo n, sino según el principio de formar una unión de semiconductor metálico al poner en contacto un metal con un semiconductor. Por lo tanto, SBD también se denomina diodo semiconductor metálico (contacto) o diodo de barrera de superficie, que es un diodo portador caliente.
Un diodo Schottky es un dispositivo semiconductor metálico hecho de metal noble (oro, plata, aluminio, platino, etc.) a como electrodo positivo, semiconductor tipo n B como electrodo negativo y una barrera potencial formada en la superficie de contacto de los dos tienen características de rectificación. Dado que hay una gran cantidad de electrones en el semiconductor de tipo n y solo una pequeña cantidad de electrones libres en el metal noble, los electrones se difunden desde la alta concentración B a la baja concentración a. Obviamente, no hay agujeros en el metal a, por lo que no hay movimiento de difusión de los agujeros de a a B. Con la difusión continua de electrones de B a a, la concentración de electrones en la superficie de B disminuye gradualmente y la electronegatividad de la superficie es destruido. Por lo tanto, se forma una barrera de potencial y la dirección del campo eléctrico es B → a. Sin embargo, bajo la acción de este campo eléctrico, los electrones en a también generarán un movimiento de deriva de a a B, debilitando así el campo eléctrico formado por el movimiento de difusión. Cuando se establece una región de carga espacial con un cierto ancho, el movimiento de deriva de electrones causado por el campo eléctrico y el movimiento de difusión de electrones causado por diferentes concentraciones alcanzan un equilibrio relativo y se forma una barrera de Schottky.
Diferencia entre diodo terky y diodo rectificador
El diodo Schottky es un tipo de diodo de recuperación rápida, que pertenece a un dispositivo semiconductor de ultra alta velocidad y baja potencia. Sus características notables son que el tiempo de recuperación inversa es extremadamente corto (puede ser tan pequeño como varios nanosegundos) y la caída de voltaje de conducción directa es de solo 0.4V. Los diodos Schottky se utilizan principalmente como diodos rectificadores de alta frecuencia, bajo voltaje y alta corriente, diodos de rueda libre y diodos de protección. También se utilizan como diodos rectificadores y diodos de detección de señal pequeña en circuitos de comunicación por microondas. Se utiliza comúnmente en la rectificación de potencia secundaria y en la rectificación de potencia de alta frecuencia de TV en color.
¿Cuál es la diferencia entre los diodos Schottky y los diodos rectificadores generales? ¿Cuál es la diferencia entre el diodo Schottky y el diodo rectificador general? Estudiemos juntos hoy.
El diodo Schottky utiliza la interfaz semiconductora de metal como barrera Schottky para producir un efecto de rectificación, que es diferente de la interfaz pn generada por la interfaz semiconductora de semiconductores en los diodos generales. Las características de la barrera Schottky hacen que la caída de tensión del diodo Schottky sea baja y puede mejorar la velocidad de conmutación.
El voltaje de encendido del diodo Schottky es muy bajo. Cuando una corriente fluye a través de un diodo general, se generará una caída de voltaje de aproximadamente {{0}}.7-1.7 voltios, pero la caída de voltaje de un diodo Schottky es solo 0.{{ 4}}.45 voltios, por lo que se puede mejorar la eficiencia del sistema.
La mayor diferencia entre los diodos Schottky y los diodos rectificadores generales es el tiempo de recuperación inversa, es decir, el tiempo necesario para que los diodos pasen del estado conductor a través del cual fluye la corriente directa al estado no conductor. En general, el tiempo de recuperación inversa de los diodos rectificadores es de varios cientos de ns, pero será inferior a cien ns si se trata de un diodo de alta velocidad. Los diodos Schottky no tienen tiempo de recuperación inverso, por lo que el tiempo de conmutación de los diodos Schottky de señal pequeña es de aproximadamente decenas de PS, y el tiempo de conmutación de los diodos Schottky especiales de gran capacidad es de solo decenas de PS. El diodo rectificador general causará ruido EMI debido a la corriente inversa dentro del tiempo de recuperación inversa. Los diodos Schottky se pueden cambiar inmediatamente sin tiempo de recuperación inverso ni corriente inversa.