En la fuente de alimentación conmutada, la función principal del diodo es la rectificación. De acuerdo con la frecuencia de la corriente alterna en el circuito rectificador, el circuito rectificador en la fuente de alimentación de conmutación se puede dividir en un circuito rectificador primario (rectificación de baja frecuencia) y un circuito rectificador secundario (rectificación de alta frecuencia).
Entre ellos, el circuito de rectificación primario se refiere a rectificar la corriente alterna de la red (la frecuencia es de 50 Hz o 60 Hz), y el circuito de rectificación secundario se refiere a rectificar la corriente alterna de alta frecuencia (la frecuencia es de decenas de kHz a cientos de kHz o incluso más alto). El principio del circuito rectificador primario y el circuito rectificador secundario es usar la conductividad unidireccional de los diodos para cambiar la corriente alterna en corriente continua pulsante unidireccional, pero sus requisitos en los parámetros del diodo son diferentes. La pérdida de potencia y la capacidad de bloqueo inverso se consideran principalmente cuando se seleccionan diodos para el circuito rectificador primario, es decir, la caída de tensión directa UF y la corriente inversa IR en los parámetros del diodo deben ser lo más pequeñas posible.
Al seleccionar diodos para el circuito rectificador secundario, además de considerar que la caída de tensión directa UF y la corriente inversa IR deben ser pequeñas, el tiempo de recuperación inversa TRR debe satisfacer las necesidades del circuito, y el tiempo de recuperación inversa se convierte en un tema prioritario. en la selección de los parámetros del diodo. Los diodos de recuperación rápida y los diodos Schottky se usan comúnmente en los circuitos de fuente de alimentación de conmutación.
Diodo de recuperación rápida
El proceso de recuperación inversa del diodo de recuperación rápida es muy corto, lo que se denomina diodo rápido para abreviar. La mayoría de los diodos rápidos adoptan medidas de dopaje de oro en tecnología, algunos adoptan una estructura de unión PN y algunos adoptan una estructura de pines mejorada. En términos de rendimiento, el diodo de recuperación rápida se puede dividir en dos niveles: recuperación rápida y recuperación ultrarrápida. El tiempo de recuperación inversa del diodo de recuperación rápida es generalmente inferior a 5 µs, y el tiempo mínimo de recuperación inversa del diodo de recuperación ultrarrápida puede ser inferior a 50ns. El diodo de recuperación rápida y el diodo de recuperación ultrarrápida son generalmente de 0,8 ~ 1,2 V, pero el voltaje de trabajo inverso máximo es pequeño, en su mayoría por debajo de 400 V o 600 V.
Diodo Schottky
Los diodos Schottky se fabrican según el principio de la unión de semiconductores metálicos formada por contacto de metal y semiconductor, por lo que los diodos Schottky también tienen forma de diodos semiconductores metálicos (contacto) o diodos de barrera de superficie. La ventaja más significativa del diodo Schottky es que el tiempo de recuperación inversa es extremadamente corto (puede ser tan pequeño como varios nanosegundos) y la caída de voltaje de conducción directa es de solo 0.4V. Sin embargo, la desventaja del diodo Schottky es que el voltaje de trabajo inverso más alto es muy bajo, generalmente por debajo de 100V.