Los diodos Schottky no se fabrican utilizando el principio de que los semiconductores de tipo p y los semiconductores de tipo n se ponen en contacto para formar uniones PN, sino que utilizan el principio de uniones de semiconductores metálicos formadas por contacto de semiconductores metálicos. Por lo tanto, el diodo Schottky también se denomina diodo semiconductor de metal (contacto) o diodo de barrera de superficie, que es un diodo portador caliente.
Las principales ventajas de SBD incluyen dos aspectos:
1) Debido a que la altura de la barrera de Schottky es más baja que la altura de la barrera de la unión PN, el umbral de voltaje de conducción directa y la caída de voltaje directo son más bajos que los del diodo de unión PN (alrededor de 0.2V menos).
2) Debido a que el diodo Schottky es un tipo de dispositivo conductor de la mayoría de los portadores, no hay vida útil de portador minoritario ni recuperación inversa. El tiempo de recuperación inversa del diodo Schottky es solo el tiempo de carga y descarga del capacitor de barrera Schottky, que es completamente diferente del tiempo de recuperación inversa del diodo de unión PN. Debido a que la carga de recuperación inversa del diodo Schottky es muy pequeña, la velocidad de conmutación es muy rápida y la pérdida de conmutación es particularmente pequeña, lo que es especialmente adecuado para aplicaciones de alta frecuencia.
Sin embargo, el voltaje de ruptura inversa del diodo Schottky es relativamente bajo porque la barrera inversa del diodo Schottky es delgada y la ruptura ocurre fácilmente en su superficie. Debido a que los diodos Schottky son más propensos a la ruptura térmica que los diodos de unión PN, la corriente de fuga inversa es mayor que la de los diodos de unión PN.
solicitud
La estructura y las características del diodo Schottky lo hacen adecuado para la rectificación de alta frecuencia en campos de salida de corriente grande y bajo voltaje, detección y mezcla en frecuencias muy altas (como banda X, banda C, banda S y banda Ku) , y sujeción en circuitos lógicos de alta velocidad. Los diodos Schottky se utilizan a menudo en circuitos integrados. Los circuitos integrados como los diodos Schottky se han convertido en la corriente principal de los circuitos TTL y se usan ampliamente en computadoras de alta velocidad.
Además de los parámetros característicos del diodo de unión PN común, los parámetros eléctricos del diodo Schottky que se utiliza para la detección y la mezcla también incluyen la impedancia de frecuencia intermedia (se refiere a la impedancia del diodo Schottky cuando se aplica la potencia nominal de oscilación local al frecuencia intermedia especificada, generalmente entre 200 Ω y 600 Ω), la relación de onda estacionaria de voltaje (generalmente menor o igual a 2) y la figura de ruido.
efecto
El diodo Schottky es un tipo de dispositivo semiconductor con bajo consumo de energía y alta velocidad. Se caracteriza por un tiempo de recuperación inversa extremadamente corto (tan pequeño como unos pocos nanosegundos) y la caída de voltaje de conducción directa es de solo 0.4V. Se utiliza principalmente como diodo rectificador de corriente grande, bajo voltaje y alta frecuencia, diodo de rueda libre, diodo de protección, y también se utiliza como diodo rectificador y diodo de detección de señal pequeña en comunicación por microondas y otros circuitos. Es común en la fuente de alimentación de comunicación y el convertidor de frecuencia.
Una aplicación típica es que en el circuito de conmutación del transistor bipolar BJT, el diodo Shockley está conectado al BJT para sujetarlo, de modo que el transistor está realmente en un estado muy cerrado en el estado activado, mejorando así la velocidad de conmutación del transistor. Este método es una técnica utilizada en circuitos internos TTL de circuitos integrados digitales típicos como 74LS, 74als y 74As.
Otra característica del diodo Schottky es que la caída de tensión directa VF es relativamente pequeña. Bajo la misma corriente, su caída de tensión directa es mucho menor. Además, su tiempo de recuperación es corto. También tiene algunas desventajas: el voltaje soportado es relativamente bajo y la corriente de fuga es ligeramente mayor. Se debe tener una consideración integral al seleccionar.
